華為新發布的mate 60手機芯片使用了3D芯片堆疊技術，達到了7納米的芯片技術水準，讓華為的手機芯片繞過了國外芯片廠商的打壓和限購，重新煥發新的生機。

堆疊技術是指將多個芯片疊放在一起，以節省空間和減少制造成本的技術。這是一種常見的芯片制造工藝，適用于需要高速、低功耗、集成度高的應用。

堆疊技術可以分為以下幾個步驟：

1.清洗：將芯片表面的污垢清除干凈，以便進行后續操作。

2.預熱：將芯片加熱到一定溫度，以幫助更好地結合。

3.涂覆：在芯片表面涂覆一層光刻膠，然后將其暴露在紫外線下，以便進行曝光。

4.曝光：將芯片暴露在紫外線下，以將光刻膠轉化為化學物質，并將其固定在芯片表面。

5.化學腐蝕：使用酸性或堿性溶液對光刻膠進行腐蝕，以去除多余的光刻膠并暴露芯片表面。

6.洗滌：用洗滌劑清洗芯片表面，以去除殘留的光刻膠和其他化學物質。

7.干燥：將芯片放在干燥的氣體中，以去除殘留的水分。

8.測厚：使用顯微鏡或其他工具測量芯片的厚度，以確保其堆疊緊密。

堆疊技術可以用于制造各種類型的芯片，包括 CPU、GPU、內存等。

堆疊技術的優點包括節省空間、減少制造成本、提高集成度和性能等。

然而，堆疊技術也存在一些缺點，例如堆疊的層數越多，芯片的性能可能會受到影響，而且堆疊過程中可能會出現一些化學反應，導致芯片受損。因此，在芯片堆疊過程中需要進行嚴格的控制和監測。