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大家在日常使用手機時，經常會聽到“存儲”這個詞，保存照片和視頻、接收數據、下載App等等。諸多手機應用場景都和存儲息息相關。同時存儲也成為我們選購手機時的重要衡量指標，4/8GB、128/256GB等不同存儲容量對手機的使用體驗影響很大。由此可見，存儲器對于手機而言十分重要，那么什么是存儲器呢？你知道它有哪些種類嗎？

下面讓華為麒麟帶你一圖看懂存儲器！

RAM ：隨機存取存儲器（ andom Access Memory )，即手機中的內存，是芯片中與 CPU 直接交換數據的存儲器。

RAM 屬于易失性存儲器，即一旦斷電所存儲的數據將全部丟失。 RAM 的優點是可以隨時讀寫，同時讀寫速度很快，通常用來暫存正在運行的程序和臨時數據。

NAND ：NAND Flash 即手機中的閃存，它屬于非易失性存儲器，斷電后，其存儲的數據不會丟失。 NAND Flash 存儲器具有容量較大、體積較小、改寫速度快等優點，它是移動數碼產品存儲的理想介質，在業內有廣泛的應用，包括手機、相機、隨身攜帶的 U 盤等。手機參數中的256GB、512GB指的就是手機中的閃存大小。

DRAM ：動態隨機存取存儲器（ Dynamic Random Access Mem -ory ）是 RAM 中的一種，當斷掉電源后，所存儲的數據將全部丟失。由于晶體管會出現漏電的情況，導致 DRAM 儲存電荷的時間非常短暫，所以 DRAM 需要周期性地充電來進行刷新，因此 DRAM 的速度不如 SRAM 快，但 DRAM 的優點是存儲單元的結構簡單，集成度高，功耗低，所以已成為大容量 RAM 中的主流。比如手機參數中的4GB、8GB指的就是內存。

SRAM：靜態隨機存取存儲器（ Static Random - Access Memo -ry ）是 RAM 的另一種。 SRAM 與 DRAM 不同，不需要周期性進行更新，只要保持通電，里面儲存的數據就可以恒常保持。但是，當斷電時， SRAM 儲存的數據還是會消失。 SRAM 的優點是讀寫速度快、使用簡單、無需周期性刷新、靜態功耗極低，但是 SRAM 所需的元件數多、集成度低、運行功耗大，同時制造成本高。

3D DRAM：隨著芯片尺寸的不斷微縮， DRAM 工藝的微縮變得越來越困難，平面 DRAM 的“摩爾定律”( Moore ＇ s Law ）正在逐漸走向極限，當今各大廠商都在研究3D DRAM 作為解決方案來延續 DRAM 的使用。3D DRAM 是一種將存儲單元堆疊至邏輯單元上方的新型存儲方式，它可以實現單位面積上更高的容量。