電腦內(nèi)存固態(tài)硬盤區(qū)別大嗎
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2025.06.29COPYRIGHT ? 2023
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留言給我如同內(nèi)存在不同應(yīng)用場景中可以分為DDR、LPDDR、GDDR一樣,閃存在不同的設(shè)備中也以不同形式存在,比如SSD、UFS和eMMC。如果你對數(shù)碼感興趣,很容易想到SSD經(jīng)常在電腦或服務(wù)器中出現(xiàn),而UFS和eMMC則大多出現(xiàn)在智能手機等移動設(shè)備上。那么,既然SSD、UFS、eMMC都是閃存,它們的區(qū)別又在哪呢?
首先,我們來了解一下它們的共同點。閃存(Flash Memory),指現(xiàn)在最常用的斷電不丟失信息的半導體存儲芯片,具有體積小、功耗低、不易受物理破壞的優(yōu)點。
閃存主要分為NAND Flah、NOR Flash,這兩種類型都是日本人發(fā)明后又經(jīng)過美國Intel公司繼續(xù)開發(fā)的。NAND Flash具有較快的抹寫時間,而且每個存儲單元的面積較小,這讓NAND Flash相較于NOR Flash具有較高的存儲密度與較低的每比特成本。同時它的可抹除次數(shù)也高出NOR Flash的十幾倍。而SSD、UFS、eMMC都屬于NAND Flash。
就應(yīng)用場景來說,UFS和eMMC是一類,都被使用在一些較小的移動設(shè)備上,而SSD一般則出現(xiàn)在電腦或服務(wù)器上。
SSD的主要作用是取代之前的HDD(機械硬盤),擁有超大容量,極高的并行性、對功耗和體積要求不敏感、兼容已有接口技術(shù)等特點。為了達到高并行、高性能的要求,一個SSD有多顆Flash芯片,這樣就可以在每個芯片上進行相互獨立的讀寫操作,以并行性來提高硬盤吞吐量,還可以增加冗余備份。
而在寸土寸金的移動設(shè)備中,為了節(jié)省空間和功耗,eMMC和UFS通常只有一顆密度較高的Flash芯片。eMMC中的「e」是「Embedded(嵌入)」的意思,而UFS原本稱作eUFS,也就是說它們是嵌入在主板上的,并不像SSD一樣有SATA或M.2接口可以插入,方便更換或升級。
此外,管理一顆Flash芯片和管理多顆Flash芯片,策略肯定是不一樣的,因此它們的控制器也就完全不同了。這些便是SSD與eMMC和UFS的區(qū)別。
SSD與eMMC、UFS很好區(qū)分,但eMMC與UFS卻有不少相似之處,所以接下來我們來看eMMC與UFS之間的區(qū)別。
雖然說eMMC閃存和UFS閃存在外觀和作用上都沒明顯區(qū)別,但是實際上兩者的內(nèi)部結(jié)構(gòu)卻有著本質(zhì)上的差異。eMMC的全稱為「embedded Multi Media Card」,即嵌入式的多媒體存儲卡。eMMC是在NAND閃存芯片的基礎(chǔ)上,額外集成了主控制器,并將二者「打包」封裝成一顆BGA芯片,從而大幅降低多芯片的空間占用和布線難度問題。
eMMC閃存基于并行數(shù)據(jù)傳輸技術(shù)打造,其內(nèi)部存儲單元與主控之間擁有8個數(shù)據(jù)通道,傳輸數(shù)據(jù)時8個通道同步工作,工作模式為半雙工,也就是說每個通道都可以進行讀寫傳輸,但同一時刻只能執(zhí)行讀或者寫的操作,與PC上已經(jīng)淘汰的IDE接口硬盤很是相似。
這在實際應(yīng)用中的影響就是,當我們將手機與PC連接,在拷貝照片的同時將無法訪問手機存儲空間內(nèi)的其他文件夾,也無法同時往手機里拷貝數(shù)據(jù),只有等照片傳輸完畢后才能進行其他操作。
而UFS 的全稱是「Universal Flash Storage」,也就是通用閃存存儲,它是基于串行數(shù)據(jù)傳輸技術(shù)打造,其內(nèi)部存儲單元與主控之間雖然只有兩個數(shù)據(jù)通道,但由于采用串行數(shù)據(jù)傳輸,其實際數(shù)據(jù)傳輸時速遠超基于并行技術(shù)的eMMC閃存。此外UFS閃存支持的是全雙工模式,所有數(shù)據(jù)通道均可以同時執(zhí)行讀寫操作,在數(shù)據(jù)讀寫的響應(yīng)速度上也要凌駕于eMMC閃存。
正因為eMMC閃存與UFS閃存在內(nèi)部結(jié)構(gòu)上存在著本質(zhì)上的區(qū)別,這讓兩者的理論帶寬產(chǎn)生了極大的差異。近年來比較常見的eMMC閃存多應(yīng)用eMMC 4.x或者5.x規(guī)范,其中eMMC 4.5常見于低端設(shè)備,理論帶寬為200MB/s,現(xiàn)在已經(jīng)基本淘汰;而eMMC 5.0/5.1標準理論帶寬分別為400MB/s和600MB/s,從數(shù)字上看并不算低。
然而與UFS閃存相比,eMMC閃存的這點理論帶寬就不夠看了。UFS閃存的相關(guān)標準是在2011年2月份首次亮相,當時的UFS 1.1標準其已經(jīng)可以提供相當于300MB/s的理論帶寬,而eMMC閃存要到2012年的eMMC 4.5標準時才可以提供200MB/s的理論速率。只是由于當時的應(yīng)用環(huán)境以及成本等因素的限制,USF 1.1標準未能得到大規(guī)模的推廣。
直到2014年UFS 2.0規(guī)范出爐后,eMMC閃存才被徹底碾壓。UFS 2.0規(guī)范分為兩部分,第一部分是UFS HS-G2規(guī)范,也就是我們常說的UFS 2.0,其單通道單向的理論帶寬就可以達到1.45Gbps的水平,雙通道雙向的理論帶寬就是5.8Gbps;而第二部分的UFS HS-G3標準,也就是我們常說的UFS 2.1,其理論帶寬更是UFS 2.0的翻倍,達到11.6Gbps,eMMC閃存徹底望塵莫及了。
而到了近兩年,UFS已經(jīng)成為智能手機上的標配,現(xiàn)在最新的標準是UFS 3.1,單通道帶寬為11.6Gbps,是UFS 2.1性能的兩倍。
總結(jié)來說,SSD、eMMC、UFS雖然同屬閃存(NAND Flash),但它們在控制器、接口標準甚至更底層的Flash芯片標準上有所差別。SSD主要是為替代電腦或服務(wù)器上的HDD(機械硬盤),容量大,且兼容已有的接口技術(shù)。
eMMC、UFS則廣泛應(yīng)用于移動設(shè)備,且UFS是作為eMMC的替代品出現(xiàn),它們都直接嵌入在主板上,很難替換。而UFS得益于接口標準帶來的性能優(yōu)勢,逐漸成為智能手機,尤其是安卓手機的主流,eMMC則得益于其成本優(yōu)勢,依然在一些小型移動設(shè)備中出現(xiàn)。
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