現(xiàn)代智能手機在銷售的時候，賣家通常會強調(diào)的手機的運行內(nèi)存和存儲內(nèi)存、ROM、RAM之類的概念，很多人都搞不懂，不知道有什么用或者有什么區(qū)別。更深入一些，這些存儲是什么類型的存儲器有些專業(yè)人員甚至沒搞懂。那么本文就介紹一下這些存儲概念并深入介紹這類存儲。

1，概念區(qū)分

手機和電腦上都有“內(nèi)存”，但二者不是一個概念，手機“內(nèi)存”包括“運行內(nèi)存”和“儲存內(nèi)存”。

運行內(nèi)存：是作為操作系統(tǒng)或其他正在運行程序的臨時存儲介質(zhì)，也稱作系統(tǒng)內(nèi)存。屬于RAM存儲，即隨機存取存儲器。它相當于電腦上的內(nèi)存。App運行時產(chǎn)生的臨時文件就是放在運行內(nèi)存中，運行內(nèi)存越大，可以同時運行的App就越多，所欲運行內(nèi)存直接影響著手機運行App時的流暢度。

儲存內(nèi)存：或者存儲內(nèi)存，也叫閃存，是機身固定存儲空間，屬于ROM存儲器，主要包含手機系統(tǒng)占據(jù)的空間和用戶數(shù)據(jù)空間兩部分。手機中的系統(tǒng)文件，用戶的App、圖片、音樂、照片等通常是存儲在這里面的。它相當于電腦上的硬盤。它的大小影響的是用戶可以存儲的數(shù)據(jù)量的多少。

綜上所述可知，例如手機標稱的 8G+256G 版本，前面的 8G 代表手機運存，而后面256GB 則代表手機內(nèi)部存儲空間。

2，器件類型與發(fā)展

“運行內(nèi)存”和“儲存內(nèi)存”由于其作用不同，使用的存儲器類型也不同。手機運行內(nèi)存一般是DDR SDRAM存儲器，基于低功耗考慮，通常是LPDDR。而手機存儲內(nèi)存則為Flash器件，這也是為什么儲存內(nèi)存也叫閃存的原因。

運行內(nèi)存發(fā)展:

2016年以前，業(yè)界主流運存標準是LPDDR3。

2016年各家手機廠商旗艦手機開始采用LPDDR4，性能提升一倍。

2017年開始出現(xiàn)LPDDR4X的旗艦手機。速度從3200MT/s提升到4266MT/s，能耗比LPDDR4降低17%。

2020年小米10首發(fā)LPDDR5旗艦手機，進入LPDDR5的時代。綜合場景續(xù)航提升大約10%，玩游戲省電大約20%，微信視頻和語音大約提升10%。

2022年LPDDR5X處理器已經(jīng)發(fā)布，相比LPDDR5運行速度提升至1.3倍，功耗也減少了約20%。年底預(yù)計會有旗艦手機搭載LPDDR5X發(fā)布。

儲存內(nèi)存發(fā)展：

2015年以前，閃存接口主要是eMMC,從eMMC4.4、eMMC4.5到eMMC5.0，最大400MB/s；（eMMC和UFS是兩種不同的傳輸協(xié)議）

2015年UFS 2.0存儲技術(shù)開始應(yīng)用于智能手機，速度比eMMC5.0提高2倍；

2016年華為Mate9首發(fā)搭載UFS 2.1存儲技術(shù)；

2019年UFS 3.0存儲技術(shù)首次應(yīng)用于手機，帶寬提高兩倍；

2020年首款UFS 3.1閃存手機發(fā)布，速度和功耗都有提升；

2022年末預(yù)計發(fā)售UFS 4.0閃存手機，順序讀取速度提升 100%，能耗比提升 46%。

最近幾年手機行業(yè)發(fā)展的速度是非常快的，可以說各種手機元件的綜合素質(zhì)都得到了質(zhì)的提升。存儲技術(shù)也同樣不斷發(fā)展，UFS閃存更快的傳輸速度能滿足更高分辨率圖像處理、大型游戲高數(shù)據(jù)量吞吐需求，未來LPDDR的使用范圍也將會從智能手機逐漸擴展到AI、汽車和數(shù)據(jù)中心等應(yīng)用場景，市場前景越來越廣闊。

Flash閃存參考閱讀：

https://www.toutiao.com/article/7169230919440630312

半導體存儲器參考閱讀：

https://www.toutiao.com/article/7166887627948589605